IBM、グラフェン・トランジスタのブレークスルーを突破

IBMの調査では、これまで最高周波数(100ギガヘルツ)の無線周波数グラフェン・トランジスタが実証されたと発表した。

グラフェンは、グラファイトの特殊な形態であり、ハニカム格子に充填された炭素原子の層からなる。簡単に言えば、グラフェンは「原子スケールのひよこワイヤー」のようなものです。グラフェンの特性は、より高速のトランジスタにつながる可能性があります。

サイエンスで発表されるIBMの論文では、最新のグラフェンのブレークスルーが新しい通信デバイスや電子機器をどのように可能にするかについて詳述しています。この論文は、Phaedon Avouris氏(IBMフェロー、同社のナノメートル規模の科学技術研究チームマネージャ)が担当しました。

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IBMが示したグラフェン・トランジスタは、今日の最先端のトランジスタよりも速く、同じアーキテクチャを使用して40Ghzをカットしています。

ここではIBMの論文の抜粋です

グラフェンの高いキャリア移動度は、高速電子デバイスの有望な候補になります。グラフェンは、1原子層の厚さの薄い電子材料として、すべての半導体材料(1)の中で最も小さくて速いトランジスタを作る可能性を秘めています。グラフェンベースのエレクトロニクスの概念実証は、天然グラファイト(2)から抽出されたグラフェンフレークを使用して、現代のマイクロエレクトロニクスの基本ブロックである電界効果トランジスタ(FET)のDC動作を実証し、炭化珪素(SiC)基板(3)の表面の分解または触媒金属表面(4)への炭化水素の化学蒸着によって生成されるグラフェン膜。この10年間で炭素エレクトロニクス時代のデビューを願っているにもかかわらず、この新しい材料の実用性を評価するための重要なテストは、高速(無線周波数、 RF)、高性能グラフェンデバイス、複雑な回路集積化を可能にするウェーハスケール製造との互換性を提供します。

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